半導体、中国やアメリカ、すでにナノの10分の1「オングストローム」時代に突入

半導体の微細化は続く、30年に「オングストローム」世代へ

半導体技術の国際会議「IEDM 2023」ではオングストローム時代の微細化技術が見えてきた（写真：日経クロステック）

鈍化しつつある半導体の微細化だが、2nm世代から0.3nm世代までの道筋が見えてきた。製造プロセスの世代を表現する単位も
「nm（ナノメートル）」から、より短い「Å（オングストローム）」（Å＝0.1nm）に変わっていく。
2030年ごろにオングストローム時代が本格化する見込みだ。

Rapidus（ラピダス、東京・千代田）を含め、台湾TSMCや韓国Samsung Electronics（サムスン電子）、
米Intel（インテル）などの間で最先端ロジック半導体の量産に向けた熾烈（しれつ）な開発競争が繰り広げられている。
2nmといった数字は、半導体の「テクノロジー・ノード」と呼ばれる指標で、製造プロセスの世代を示す。
テクノロジー・ノードを小さく、すなわち微細化するほど、同一のチップ面積に多くの素子を搭載できるので、演算処理性能が高まる。
https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/column/18/00257/00040/

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